|
|
|
|
|
|
|
|
|
Insulated-gate field-effect transistor
Глоссарий аббревиатур в области высокочастотной электроники |
Полевой транзистор с изолированным промежутком
|
Igfet, английский
- Insulated-gate field-effect transistor
- Insulated gate pet
- Insulated gate field effect transistor
|
Транзистор, русский
- Полупроводниковый прибор с тремя или более электродами, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических колебаний.
- (от англ . transfеr - переносить и резистор), полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно si или ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью. изобретен в 1948 американцами у. шокли, у. браттейном и дж. бардином. по физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). в первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых - либо электроны, либо дырки. термин "транзистор" нередко используют для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах.
- Базовый элемент в интегральной схеме. u
|
Idecm, английский
Igfet, английский
- Insulated-gate field-effect transistor
- Insulated gate pet
- Insulated gate field effect transistor
|
|
|
|
|
|
|